一种低温、自组织生长非晶碳杂合单晶纳米石墨的制备方法

  • Inventors:
  • Assignees: 吉林大学
  • Publication Date: August 17, 2016
  • Publication Number: CN-104099661-B

Abstract

本发明涉及一种低温、自组织生长非晶碳杂合单晶纳米石墨的制备方法。概括地讲,本发明是利用烷烃气体(优选甲烷)、氩气(流量比为50:5,单位为标准状态毫升每分)的等离子体化学气相沉积过程,在单晶Si(100)衬底上沉积出非晶碳和纳米石墨的杂合物,是一种在无金属催化剂、低能耗的条件下自组织生长非晶碳杂合单晶纳米石墨的制备方法。该发明所制备的产物是具有许多小尺寸“条形裂口”,呈现出片状形貌,且表面较为粗糙的连续薄膜,存在单层或少层纳米石墨烯与非晶碳的混合结构。本发明的步骤简单,易于操作,便于工业化生产,制备出来的杂合纳米材料在工业、光学、电子、交通、能源、医学和军事等领域具有广阔的应用前景。

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